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Diodes推出新型InSb霍尔元件传感器系列:高灵敏度磁检测的未来已来
Diodes推出新型InSb霍尔元件传感器系列:高灵敏度磁检测的未来已来
2025-03-27
  基于InSb材料的霍尔效应传感器,助力消费电子与工业应用创新  全球领先的半导体解决方案供应商Diodes近日正式发布其首款基于锑化铟(InSb)材料的霍尔效应传感器系列,包括AHE300和AHE10x两个子系列。这些传感器专为旋转速度检测和电流测量应用设计,全面覆盖消费电子(如笔记本电脑、手机摇杆、家电电机)和工业领域(无刷电机换向、位置编码器)的磁传感需求,填补了市场对标准化封装高灵敏度InSb霍尔元件的供应缺口。  技术突破:超高灵敏度重新定义磁检测边界  超宽霍尔输出范围:  oAHE300支持C-G分类(霍尔电压VH=168-370mV),AHE10x扩展至C-H分类(VH最高415mV)。  o相较传统GaAs霍尔元件,灵敏度提升2.3倍,可检测微弱磁场(&lt;5mT)。  工业级精度保障:  o偏移电压低至5mV-7mV,实现±0.5%的全温区检测精度。  o温度稳定性达0.02%/°C,大幅降低热漂移影响,确保在极端环境下的可靠性。  双产品线布局:精准适配不同应用场景v\:* {behavior:url(#default#VML);} o\:* {behavior:url(#default#VML);} x\:* {behavior:url(#default#VML);} .shape {behavior:url(#default#VML);} 型号AHE300AHE10x封装SIP-4(MA 型)SOT23-4(A/B/C 高度可选)工作温度范围-40°C 至 +110°C-40°C 至 +125°C(工业强化)核心应用消费电子轻薄化设计工业电机/高环境应力场景  市场驱动力:智能化趋势推动传感升级  Diodes副总裁Jeffery Chen表示:“随着TWS耳机触控、伺服电机闭环控制等应用对微型化磁传感器的需求激增,我们的InSb技术以0.1mm²有效传感面积实现了传统方案3倍的灵敏度密度。AHE10x系列仅$0.1的单价将加速高精度霍尔元件在百亿级IoT节点中的普及。”  性能表现:多场景应用验证卓越品质  第三方测试显示,该系列传感器在以下场景中表现出色:  1.微型电机变频控制:响应速度仅为0.5ms,支持高达20万次/分钟的高频检测。  2.折叠屏手机铰链定位:重复定位精度达到30μm,优于光编码器方案。  3.交流漏电保护:电流分辨率高达1mA,并通过UL60950-1认证。  Diodes的InSb霍尔元件优势!  高灵敏度:检测微弱磁场,满足复杂应用场景需求。  高性价比:AHE10x系列仅需$0.1,助力大规模部署。  广泛适用性:从消费电子到工业设备,全面覆盖多种使用场景。
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